[发明专利]采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法有效
| 申请号： | 200610145450.5 | 申请日： | 2006-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN101078883A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 池映承;康秀赫;金正五 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)的方法。一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法包括：在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 无掩模 曝光 设备 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法，该方法包括：在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。
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