[发明专利]基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置无效
| 申请号： | 200610144293.6 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1963443A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 尚德广;刘豪;贾冠华;李力森;王瑞杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01N3/20 | 分类号： | G01N3/20;G01M19/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置，属于微机电系统技术基础研究领域。本装置主要包括有基底(1)、超磁致复合层伸缩薄膜和“T”型试样(2)，超磁致复合层伸缩薄膜分为三层，中间一层为基片(4)，在基片(4)的上下分别镀有负超磁致伸缩薄膜(3)和正超磁致伸缩薄膜(5)。其中，在基底(1)的中心有一凹槽，超磁致复合层伸缩薄膜设置在该凹槽内，其一端固定在基底(1)上构成悬臂梁，另一端与“T”型试样(2)中间的一端固定连接，“T”型试样(2)的另两端分别固定在基底(1)上。本发明使试样处于弯扭的多轴受力环境中，与MEMS典型器件的受力环境相类似，其研究结果具有很高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 超磁致 伸缩 原理 微结构 疲劳 试验装置 | ||
【主权项】：
1、基于超磁致伸缩原理的微结构弯扭疲劳试验装置，其特征在于：主要包括有基底(1)、超磁致复合层伸缩薄膜和“T”型试样(2)，超磁致复合层伸缩薄膜分为三层，中间一层为基片(4)，在基片(4)的上下分别镀有负超磁致伸缩薄膜(3)和正超磁致伸缩薄膜(5)；其中，在基底(1)的中心有一凹槽，超磁致复合层伸缩薄膜设置在该凹槽内，其一端固定在基底(1)上构成悬臂梁，另一端与“T”型试样(2)中间的一端固定连接，“T”型试样(2)的另两端分别固定在基底(1)上。
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