[发明专利]薄膜器件及薄膜电感器无效
申请号: | 200610143760.3 | 申请日: | 2006-09-30 |
公开(公告)号: | CN1967740A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 政井琢 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01F10/00 | 分类号: | H01F10/00;H01F17/04;H01L27/01;H01F41/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种通过确保导电膜的粘着性及磁性膜的磁特性来确保工作性能的薄膜器件。支持体(1)的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)处于Xμm≤Ra≤0.1μm的范围内。此表面粗糙度Ra的下限X是根据包含导电膜(2)的内部应力σ、厚度T及每单位长度的附着力P的一组参数所决定的值。能够在利用锚定效果来确保导电膜(2)的粘着性、同时在具有表面凹凸结构的支持体(1)上设置磁性膜(3)的情况下确保磁特性(导磁率)。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 器件 电感器 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜器件,其特征在于,具有在下列式(1)及式(2)所表示的范围内的表面粗糙度的支持体之上层叠导电膜及磁性膜,Xμm≤Ra≤0.1μm ……(1)X=[(σ2T2W2-W2P2)/16P2]0.5 ……(2)其中,Ra:支持体的表面粗糙度(算术平均粗糙度;μm);σ:导电膜的内部应力(MPa);T:导电膜的厚度(μm);W:假定在支持体的表面之上一律相同地设置凹凸情况下的凹凸的峰点间的间距(μm);P:导电膜的每单位长度的附着力(MPa)。
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