[发明专利]制造纳米线器件的方法有效
| 申请号： | 200610139884.4 | 申请日： | 2006-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1935632A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 李鞠宁;成又庆;郑晳元;金原孝 | 申请（专利权）人： | 电子部品研究院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于通过不利用电子束形成超细图案的情况下以简单的工艺形成单晶硅纳米线，并将与衬底分离的纳米线转移到另一氧化层或绝缘层，从而在没有附加的复杂纳米线对准工艺或SOI衬底的情况下以低成本批量生产制造半导体纳米线器件的方法。同样，本发明提出了一种用于通过将纳米线从其上形成该纳米线的半导体衬底转移到其上形成绝缘层等的另一衬底上来简单地制造纳米线器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 纳米 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从衬底制造半导体纳米线的方法，所述方法包括以下步骤：在(100)单晶硅衬底上形成第一热氧化物层并且形成所述第一热氧化物层的图案以保护用于支撑纳米线区和所述纳米线的支撑结构区；干法蚀刻所述硅衬底；通过利用硅各向异性蚀刻溶液湿法蚀刻所述硅衬底；在所述硅衬底上形成第二热氧化物层；以及去除所述热氧化物层。
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