[发明专利]形成复合材料保护层的方法和装置无效
| 申请号： | 200610138851.8 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1966467A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | A·S·法里德;N·S·米拉 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/83;C04B35/565 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;李炳爱 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种减少陶瓷复合材料中氧化的方法。该方法包括用第一化学气相渗入(CVI)法将第一部分碳化硅(SiC)基体沉积(130)在至少一部分制品上，用第二CVI法将掺硅(Si)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SiC基体内，和用第三CVI法将第二部分SiC基体沉积(150)在第一部分SiC基体的至少一部分或其延续部分内。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 复合材料 保护层 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种减少陶瓷复合材料氧化的方法，所述方法包括：使用第一化学气相渗入(CVI)法将第一部分碳化硅(SiC)基体沉积(130)在至少一部分制品上；在使用第二CVI法将掺硅(Si)氮化硼(BN)层沉积(140)在至少一部分SiC基体内；使用第三CVI法将第二部分SiC基体沉积(150)在第一部分SiC基体的至少一部分或其延续部分内。
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