[发明专利]抑制数据读出时的误写入的非易失存储装置

摘要

从钉扎层侧到自由层侧的数据写入电流比从自由层侧到钉扎层侧的数据写入电流大。数据读出电流值比数据写入电流小，在高电阻状态和低电阻状态下数据读出电流之差较小时，读出放大器(SA)连接成：使数据读出电流从钉扎层侧流入自由层侧即从源极线(SL)侧流入位线(BL)侧。

主权项

1.一种非易失存储装置，具备：矩阵状配置的多个存储单元；分别对应于存储单元列设置的、经由数据读出时或数据写入时选择的存储单元供给电流的多根第一和第二电流线，各所述存储单元包含分别设于对应的第一和第二电流线之间的、执行磁性非易失数据存储的磁阻元件，所述磁阻元件包括：与所述对应的第一电流线电连接的沿第一磁化方向磁化的固定磁化层；与所述对应的第二电流线电连接的、基于自旋极化电子沿所述第一磁化方向或与所述第一磁化方向相反的方向即第二磁化方向中任一方向磁化的自由磁化层，所述自旋极化电子取决于所述数据写入时经由所述对应的第一和第二电流线流过的数据写入电流的流入方向；以及设于所述固定磁化层与所述自由磁化层之间的非磁性体即阻挡层，还具备在所述数据读出时，在与所述选择的存储单元对应的第一和第二电流线上沿难以发生干扰的方向供给数据读出电流的数据读出电路。