[发明专利]涂覆式氨气传感器纳米薄膜及其制备方法无效
申请号: | 200610124333.0 | 申请日: | 2006-12-21 |
公开(公告)号: | CN1996004A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 浣石;黄风雷;谭湘倩 | 申请(专利权)人: | 广州大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/12 |
代理公司: | 广州广信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马丽丽 |
地址: | 510006广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种涂覆式氨气传感器纳米薄膜,其配方按物质的量之比是:三氧化铟∶钛酸丁脂=(100~90)∶(0~10);本发明还公开了一种涂覆式氨气传感器纳米薄膜的制作工艺,其步骤如下:1.向InCl3·4H2O溶液加入氨水至溶液呈碱性,搅拌使氢氧化铟聚沉;2.离心,过滤,清洗;3.干燥;4.将氢氧化铟溶解后,加钛酸丁脂,水解,挥发冰醋酸后得干凝胶;5.煅烧,冷却,得钛掺杂纳米氧化铟颗粒,研磨;6.超声处理,离心,取上清液,挥发正戊醇后得三氧化铟粉体,再按上述三氧化铟与钛酸丁脂物质的量之比配制即得。本发明的优点有:制作简单,具有良好响应性和选择性、检测灵敏度高、监测下限低、响应-恢复快、稳定性好、工作温度低的特点。 | ||
搜索关键词: | 涂覆式 氨气 传感器 纳米 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、涂覆式氨气传感器纳米薄膜,其配方按物质的量之比是:三氧化铟∶钛酸丁脂=(100~90)∶(0~10)。
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