[发明专利]对半导体物理版图进行填充的方法有效
| 申请号： | 200610119389.7 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101201849A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张兴洲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对半导体物理版图进行填充的方法，采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图，通过划分单元区域进行几何形状分析，计算出最少个数的AREF填充阵列后，以追加写入二进制数据的方式，将计算得出的AREF阵列写入到GDSII数据中，实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。 | ||
| 搜索关键词： | 对半 导体 物理 版图 进行 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体物理版图进行填充的方法，其特征是，包括以下步骤：读取数据的步骤，以二进制的方式读入GDSII数据，通过对GDSII二进制数据流的查找，寻找到待填充版图中的每一个结构；划分待填充版图的步骤，将待填充版图划分成一个由多个正方形单元区域组成的矩形阵列，单元区域的大小由版图设计规则决定，单元区域的边长等于填充物的尺寸加上填充物的间距；计算AREF阵列的步骤，采用GDSII数据中的AREF阵列来填充待填充版图，通过划分单元区域进行几何形状分析，并计算出最少个数的AREF填充阵列；填充的步骤，以追加写入二进制数据的方式，把上面得出的AREF阵列写入到GDSII数据中，这样就实现了在GDSII数据上用最少个数的AREF阵列来实现快速填充。
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