[发明专利]下变频混频器有效
| 申请号： | 200610116709.3 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101154922A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 黄颋;项斌 | 申请（专利权）人： | 锐迪科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03D7/00 | 分类号： | H03D7/00;H03D7/18;H03D7/12;H04B1/16 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了下变频混频器，由四个NMOS开关管和不带运放的电流－电压转换器组成，具有镜频抑制的功能。经过前端低噪声放大器(LNA)放大的差分射频信号VRFP和VRFN通过电容C1和C2耦合到开关管的源极，四个开关管的栅极分别接到本振信号的正交四相时钟，漏极两两线与，构成镜频抑制下变频混频器。本发明通过上述结构，保留了传统无源下变频混频器的高线性度，并且获得较高的噪声性能，很好地抑制低频噪声，特别是闪烁噪声。 | ||
| 搜索关键词： | 变频 混频器 | ||
【主权项】：
1.一种下变频混频器，包括NMOS场效应管M1、M2、M3和M4，所述NMOS场效应管M1和M2的源极都与一个电容C1的同一端相连接，所述电容C1的另一端为差分射频信号VRFP的输入端，所述NMOS场效应管M3和M4的源极都与一个电容C2的同一端相连接，所述电容C2的另一端为差分射频信号VRFN的输入端，所述NMOS场效应管M1和M4的栅极与一个本振信号的正交四相时钟的VLOP端相连接，所述NMOS场效应管M2和M3的栅极与所述本振信号的正交四相时钟的VLON端相连接，所述NMOS场效应管M1的漏极与M3的漏极相连接，所述NMOS场效应管M2的漏极与M4的漏极相连接，其特征在于，所述NMOS场效应管M1与M3的漏极连接到一个电流-电压转换器的输入端，该电流-电压转换器的输出端为混频信号输出端VIFP；所述NMOS场效应管M2与M4的漏极连接到另外一个电流-电压转换器的输入端，该另外一个电流-电压转换器的输出端为混频信号输出端VIFN。
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