[发明专利]一种带隙电路中的宽工作电压范围的运算放大器有效
| 申请号： | 200610114034.9 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101170297A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 徐凌松 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 100084北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明为一种带隙电路中的宽工作电压范围的运算放大器，其包括电平位移电路，差分放大电路、第一电流源、第二电流源、输出端。电平位移电路输入管采用PMOS管，使其能在PN结阈值附近工作；使用薄氧栅晶体管与厚氧栅晶体管交替安放，使其工作阈值电压降低，保证有足够的电压余度；与高压电位相接的晶体管仍采用厚氧栅晶体管使整个运算放大器能够承受较高工作电压；因此克服了一般运算放大器工作电压较窄的不足，典型工作电压正负15％的范围内工作，同时在较低的输入信号电压下，运算放大器仍能正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 中的 工作 电压 范围 运算放大器 | ||
【主权项】：
1.一种带隙电路中的宽工作电压范围的运算放大器，其特征在于，其包括：电平位移电路，具有一个其栅极与反相位输入端相连的PMOS薄氧栅晶体管(P1)，和一个其栅极与同相位输入端相连的PMOS薄氧栅晶体(P3)；差分放大电路，具有一个其栅极与电平位移电路同相位输出端相连的NMOS薄氧栅晶体管(N0)，和一个其栅极与电平位移电路反相位输出端相连的NMOS薄氧栅晶体管(N1)，并且所述的NMOS薄氧栅晶体管(N0)的源极与所述的NMOS薄氧栅晶体管(N1)的源极连接点与NMOS薄氧栅晶体管(N2)的漏极相连；第一电流源，是由PMOS厚氧栅晶体管(P0)和PMOS厚氧栅晶体管(P2)组成，对所述的电平位移电路，提供一预定强度的电流；第二电流源，是由PMOS厚氧栅晶体管(P4)和PMOS厚氧栅晶体管(P5)组成，对所述的差分放大电路提供一预定强度的电流；输出端，所述电平位移电路PMOS薄氧栅晶体管(P1)源极与所述第一电流源PMOS厚氧栅晶体管(P0)的漏极的连接点作为电平位移电路的反相位输出端，所述电平位移电路PMOS薄氧栅晶体管(P3)源极与所述第一电流源PMOS厚氧栅晶体管(P2)的漏极的连接点作为电平位移电路的同相位输出端，且分别作为所述差分放大电路的输入端；所述的差分放大电路的NMOS薄氧栅晶体管(N1)的漏极与所述第二电流源PMOS厚氧栅晶体管(P5)的漏极的连接点作为所述差分放大电路的输出端。
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