[发明专利]微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法无效
| 申请号： | 200610112935.4 | 申请日： | 2006-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101145672A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高建霞;宋国峰;甘巧强;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包括，N面电极、出光腔面、出光孔、P面电极；步骤2：在普通垂直腔面发射激光器的出光腔面上制备增透膜；步骤3：利用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀掉P面电极上的增透膜；步骤4：在出光腔面上的增透膜上和P面电极上制备金属膜；步骤5：在出光孔上刻蚀出亚波长尺寸的微小孔，完成微小孔垂直腔面发射激光器的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 微小 垂直 发射 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包括，N面电极、出光腔面、出光孔、P面电极；步骤2：在普通垂直腔面发射激光器的出光腔面上制备增透膜；步骤3：利用聚焦离子束刻蚀技术刻蚀掉P面电极上的增透膜；步骤4：在出光腔面上的增透膜上和P面电极上制备金属膜；步骤5：在出光孔上刻蚀出亚波长尺寸的微小孔，完成微小孔垂直腔面发射激光器的制作。
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