[发明专利]液体处理方法和液体处理装置无效
| 申请号： | 200610111028.8 | 申请日： | 2003-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1916771A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 八寻俊一;立山清久;元田公男 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30;G02F1/1333;B05B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴，一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体的干燥处理部，在上述干燥处理部中，为了在上述基片上形成上述处理液的液膜，控制从上述气体喷射喷嘴喷射的干燥气体的流速的喷射量控制装置。 | ||
| 搜索关键词： | 液体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种向基片上供应处理液，进行处理的液体处理方法，包括：一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液，进行液体处理的第1工序，一边以大致水平的姿式传送上述液体处理结束了的基片一边采用气体喷射喷嘴以上述基片的表面上残留有上述处理液的液膜的方式向上述基片上喷射干燥气体的第2工序，通过对上述第2工序结束了的基片进行加热处理使残留在上述基片的表面上的处理液蒸发的第3工序。
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