[发明专利]剥离处理基体材料及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610108215.0 申请日: 2006-08-01
公开(公告)号: CN1916095A 公开(公告)日: 2007-02-21
发明(设计)人: 田中和雅;原田正臣 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09D183/04 分类号: C09D183/04;C09D5/20;C09J7/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张平元;赵仁临
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种由阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂形成的剥离处理剂层与基体材料的密合性优异的剥离处理基体材料。该剥离处理基体材料是在基体材料至少一面至少部分地具有由阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂形成的剥离处理剂层的剥离处理基体材料,其特征在于,在基体材料的至少一面至少部分地涂布阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂之后,并且在进行紫外线照射处理之前,实施加热处理。作为阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂,优选在分子中至少具有2个环氧基团的改性聚硅氧烷类聚合物成分作为有效成分的阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂。作为加热处理时的温度,优选35~120℃。
搜索关键词: 剥离 处理 基体 材料 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种剥离处理基体材料,其是在基体材料的至少一面至少部分地具有由阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂形成的剥离处理剂层的剥离处理基体材料,其中,在基体材料的至少一面至少部分地涂布阳离子聚合性紫外线固化型聚硅氧烷类剥离处理剂之后,并且在进行紫外线照射处理之前,实施加热处理。
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