[发明专利]光学信息记录介质和用于该介质的银合金反射膜有效
申请号: | 200610107508.7 | 申请日: | 2006-07-20 |
公开(公告)号: | CN1901055A | 公开(公告)日: | 2007-01-24 |
发明(设计)人: | 藤井秀夫;田内裕基;中井淳一 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;G11B7/258;C22C5/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | Ag合金反射膜含有作为组分的X1,并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层,其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内,其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素:Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质,比如初始反射率和耐久性,并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜,而且性能优异。 | ||
搜索关键词: | 光学 信息 记录 介质 用于 合金 反射 | ||
【主权项】:
1.一种Ag合金反射膜,其包含作为组分的X1,其中所述Ag合金反射膜包括位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层,其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内,以及其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素:Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。
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