[发明专利]基底、光刻多次曝光方法和可机读介质无效
申请号: | 200610106343.1 | 申请日: | 2006-07-14 |
公开(公告)号: | CN1896869A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | 陈继恒 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
地址: | 荷兰费*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种使用光刻系统成像的方法包括将印刷在基底上的期望图案分解成能够使用光刻系统光学解析的至少两个组成分图案,在基底上涂敷位于目标层顶部上堆叠的两个硬牺牲掩模,所述掩模用期望密度的线图案对其构图。为了提供合适的蚀刻停止层,牺牲掩模层和目标层的材料选择成对于每个蚀刻步骤,两次曝光之间的蚀刻和目标层的蚀刻具有交替的选择性。 | ||
搜索关键词: | 基底 光刻 多次 曝光 方法 可机读 介质 | ||
【主权项】:
1.一种基底,包括:构造和布置成用期望图案进行光刻构图的目标层;和至少部分覆盖目标层的硬掩模层堆叠,所述堆叠包括至少部分覆盖目标层的第一硬掩模层和至少部分覆盖第一硬掩模层的第二掩模层,其中第一硬掩模层和第二硬掩模层具有相互排斥的抗蚀刻性,其中第一硬掩模层和第二硬掩模层中之一包括氧化物,而另一个硬掩模层包括氮化物。
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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