[发明专利]深量子阱电吸收调制器无效
| 申请号： | 200610105465.9 | 申请日： | 2006-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1909312A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | D·P·布尔;A·坦顿;M·R·T·谭 | 申请（专利权）人： | 阿瓦戈科技光纤IP（新加坡）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H04B10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 通过嵌入深的超薄的量子阱在量子阱有源区域中产生电吸收调制器的双阱结构。由位于常规量子阱中央的嵌入的深的超薄量子阱而引起的干扰降低了在周围更大的阱中的波函数的限制能态，并且通常使得空穴和电子波函数更限制在常规的量子阱的中央。由该电吸收调制器提供的消光比通常得到增加。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 吸收 调制器 | ||
【主权项】：
1、一种电吸收调制器，包括：衬底；在所述衬底上形成的多个半导体层；所述多个半导体层之一包括具有第一成分的第一量子阱区域；以及具有第二成分的第二量子阱区域，所述第二量子阱区域嵌入在所述第一量子阱区域中。
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