[发明专利]离子束蚀刻方法和离子束蚀刻装置无效
| 申请号： | 200610101820.5 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1896315A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 堀田哲广;久保田尚树 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01J27/02;H01J37/08 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据实施方式的离子束蚀刻方法，包括由惰性气体冷却引出电极(E)的冷却工序(S52)，和用由引出电极(E)所引出的离子束(IB)蚀刻被加工物(W)的蚀刻工序(S54)。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束 蚀刻 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种离子束蚀刻方法，其特征在于，包括：蚀刻工序，用由引出电极所引出的离子束蚀刻被加工物；冷却工序，由惰性气体冷却所述引出电极。
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