[发明专利]接合体和使用其的晶片支撑构件及晶片处理方法有效
| 申请号： | 200610101143.7 | 申请日： | 2006-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1891671A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 横山清 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种接合层难以被等离子体浸蚀的陶瓷构件和金属复合构件的接合体。此接合体具有：陶瓷构件，其具有相互相对的两个主面，其中一主面上具有第一金属层；金属复合构件，其具有相互相对的两个主面，其中一主面上具有第二金属层；接合所述第一金属层和所述第二金属层的钎料层，钎料层的外周面，在该外周面的厚度方向的中央部具有凹坑部，该凹坑部的宽度是所述钎料层的厚度的三分之一以上。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 使用 晶片 支撑 构件 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种接合体，其特征在于，具有：陶瓷构件，其具有相互相对的两个主面，并且在其中一主面上具有第一金属层；金属复合构件，其具有相互相对的两个主面，并且在其中一主面上具有第二金属层；钎料层，其接合所述第一金属层和所述第二金属层，在所述钎料层的外周面的厚度方向的中央部具有凹坑部，并且该凹坑部的宽度是所述钎料层的厚度的三分之一以上。
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