[发明专利]铁电存储装置有效
| 申请号： | 200610099516.1 | 申请日： | 2006-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1905062A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 山村光宏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种构成简单，并可以进行高速的读出动作的铁电存储装置。该铁电存储装置包括：多条位线；多个存储器单元，与各位线连接，用于存储规定的数据；多个读出放大器，与各位线对应设置，用于放大从存储器单元中读出的数据。其中，读出放大器包括：第一n型MOS晶体管，在其源极上供给有第一电压；第一预充电部，用于将第一n型MOS晶体管的漏极预充电至第二电压，该第二电压是高于第一电压的正电压；晶体管控制部，当将存储在存储器单元中的数据读出到位线时，根据位线上的电压控制第一n型MOS晶体管的源极和漏极之间的阻抗，并降低预充电至第二电压的漏极电压；电压控制部，根据漏极电压的降低，降低位线上的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储装置，包括：多条位线；多个存储器单元，与各位线连接，用于存储规定的数据；以及多个读出放大器，与各位线对应设置，用于放大从存储器单元中读出的数据，所述铁电存储装置的特征在于：所述读出放大器包括：第一n型MOS晶体管，在其源极上供给有第一电压；第一预充电部，用于将所述第一n型MOS晶体管的漏极预充电至第二电压，所述第二电压是高于所述第一电压的正电压；晶体管控制部，当将存储在所述存储器单元中的数据读出到所述位线时，根据所述位线上的电压控制第一n型MOS晶体管的所述源极和所述漏极之间的阻抗，并降低预充电至所述第二电压的所述漏极电压；以及电压控制部，根据所述漏极电压的降低，使所述位线上的电压降低。
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