[发明专利]形成等离子显示面板中的介电层的方法无效
| 申请号： | 200610089839.2 | 申请日： | 2006-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1983494A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 金荣勋;李恩泰;崔雄 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00;H01J17/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林潮;樊卫民 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成PDP中的介电层的方法。根据本发明，该方法包括：(a)形成生片，其包括底膜和在该底膜的表面上设置的成膜层，其中通过向底膜的所述表面上施加浆料在底膜的表面上形成成膜层，所述浆料含有基于PbO的玻璃粉末、结合剂、分散剂、增塑剂以及溶剂；(b)将生片的成膜层转移到基板的表面上，其中在基板的表面上设置电极；以及(c)烧结成膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 等离子 显示 面板 中的 介电层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于PDP中的介电层的方法，包括(a)形成生片，其包括：底膜；以及在底膜的表面上设置的成膜层，其中通过向底膜的所述表面上施加浆料在底膜的表面上形成成膜层，所述浆料含有基于PbO的玻璃粉末、结合剂、分散剂、增塑剂以及溶剂；(b)将生片的成膜层转移到基板的表面上，其中在基板的表面上设置电极；以及(c)烧结成膜层，其中在570℃与600℃之间的烧结温度下烧结成膜层，并且其中以4℃/min至10℃/min的升温速率将成膜层加热至烧结温度。
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