[发明专利]一种氟硼酸钙非线性光学晶体的助熔剂生长方法无效
| 申请号： | 200610089011.7 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101113531A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 吴以成;陈国军;傅佩珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氟硼酸钙非线性光学晶体的制法：将氟硼酸钙与助熔剂混合，以20－100℃/小时速率加热至900－1170℃，恒温5－50小时，再冷却至饱和温度之上2－10℃，得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体；所述氟硼酸钙与助熔剂的质量份配比＝1∶0.1－1，助熔剂为LiF－CaO－B2O3体系，其中LiF∶CaO∶B2O3的摩尔比为1－0.5∶0－0.37∶0－0.2；把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤制备的混合熔体中，降温到饱和温度，同时以5－50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，然后以0.2－3℃/天的速率缓慢降温，将得到的晶体提离液面，以5－100℃/小时的速率降至室温，得到氟硼酸钙非线性光学晶体。该方法操作简单，生长速度快，晶体易长大，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硼酸 非线性 光学 晶体 熔剂 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Ca5B3O9F非线性光学晶体的助熔剂生长方法，其步骤如下：(1)将Ca5B3O9F化合物与助熔剂按比例混匀，以20-100℃/小时的升温速率将其加热至900℃-1170℃，恒温5-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含氟硼酸钙与助熔剂的混合熔体；所述助熔剂为LiF-CaO-B2O3体系助熔剂；所述Ca5B3O9F化合物与LiF-CaO-B2O3体系助熔剂混配的质量份配比为1∶0.1-1；其中LiF-CaO-B2O3体系助熔剂中三种物质的摩尔比为LiF：CaO∶B2O3＝1-0.5∶0-0.37∶0-0.2；(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的混合熔体中，降温到饱和温度，同时以5-50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，然后以0.2-3℃/天的速率缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，以5-100℃/小时的速率降至室温，得到Ca5B3O9F非线性光学晶体。
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