[发明专利]集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器及制作方法无效

专利信息
申请号: 200610086551.X 申请日: 2006-06-22
公开(公告)号: CN101093931A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 吴旭明;王小东;谭满清 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/20;H01S5/187;H01S5/04;H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器,包括:一衬底;一下布拉格反射镜制作在衬底上;一下限制层制作在下布拉格反射镜上;一下波导层制作在下限制层上,该下波导层是带隙波长为1.2微米的铟镓砷磷材料;一有源区制作在下波导层上;一上波导层制作在有源区上,该上波导层是带隙波长为1.2微米的铟镓砷磷材料;一上限制层制作在上波导层上;一上布拉格反射镜制作在上限制层上面的中间;一欧姆接触层制作在上限制层上,位于上布拉格反射镜的两侧;一上电极制作在欧姆接触层上,位于上布拉格反射镜的两侧;一下电极制作在衬底的下面。
搜索关键词: 集成 光源 波长 垂直 发射 激光器 制作方法
【主权项】:
1.一种集成泵浦光源的长波长垂直腔面发射激光器,其特征在于,该结构包括:一衬底,该衬底是磷化铟衬底;一下布拉格反射镜,该下布拉格反射镜制作在衬底上;一下限制层,该限制层制作在下布拉格反射镜上,该下限制层是磷化铟材料;一下波导层,该下波导层制作在下限制层上,该下波导层是带隙波长为1.2微米的铟镓砷磷材料;一有源区,该有源区制作在下波导层上;一上波导层,该上波导层制作在有源区上,该上波导层是带隙波长为1.2微米的铟镓砷磷材料;一上限制层,该上限制层制作在上波导层上,该上限制层是磷化铟材料;一上布拉格反射镜,该上布拉格反射镜制作在上限制层上面的中间;一欧姆接触层,该欧姆接触层制作在上限制层上,位于上布拉格反射镜的两侧,该欧姆接触层是铟镓砷材料;一上电极,该上电极制作在欧姆接触层上,位于上布拉格反射镜的两侧,该上电极是金锌金材料;一下电极,该下电极制作在衬底的下面,该下电极是金锗镍材料。
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