[发明专利]采用并行像素内存的整帧刷新显示电路及其整帧刷新方法无效

专利信息
申请号: 200610085448.3 申请日: 2006-06-16
公开(公告)号: CN1862649A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 孙小卫;陈树章;王保平;张晓兵;雷威 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 采用并行像素内存的整帧刷新显示电路及其整帧刷新方法是一种用于逐帧扫描显示的新型缓冲像素驱动电路结构及其整帧刷新方法,该电路的列数据电极(1)分别与第一场效应管(2)、第二场效应管(3)的源极相接,第一场效应管(2)的漏极接第三场效应管(6)的源极,第二场效应管(3)的漏极接第四场效应管(7)的源极,第三场效应管(6)、第四场效应管(7)的漏极分别接像素电极(8),第一动态存储电容(4)接在第一场效应管(2)的漏极与第三场效应管(6)的源极之间,第二动态存储电容(5)接在第二场效应管(3)的漏极与第四场效应管(7)的源极之间,从而实现图像的整帧显示,提高了图像的显示质量。
搜索关键词: 采用 并行 像素 内存 刷新 显示 电路 及其 方法
【主权项】:
1.一种采用并行像素内存的整帧刷新显示电路,其特征在于该电路的列数据电极(1)分别与第一场效应管(2)、第二场效应管(3)的源极相接,第一场效应管(2)的漏极接第三场效应管(6)的源极,第二场效应管(3)的漏极接第四场效应管(7)的源极,第三场效应管(6)、第四场效应管(7)的漏极分别接像素电极(8),第一动态存储电容(4)接在第一场效应管(2)的漏极与第三场效应管(6)的源极之间,第二动态存储电容(5)接在第二场效应管(3)的漏极与第四场效应管(7)的源极之间。
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