[发明专利]硫族化合物的高压釜合成方法无效

专利信息
申请号: 200610068497.6 申请日: 2006-08-31
公开(公告)号: CN1924113A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 陶绪堂;王善朋;董春明;蒋民华 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C30B1/12 分类号: C30B1/12;C30B29/46;C01B17/20
代理公司: 济南圣达专利商标事务所 代理人: 王吉勇
地址: 250061山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种硫族化合物的高压釜合成方法:①将原料及石墨坩埚放入烘箱进行烘干除水;②在手套箱内,准确称量各组分原料,装入事先准备好的石墨坩埚内,密封;③将装好料的石墨坩埚放入高温高压釜内,密封;④用扩散泵抽真空至2×10-3Pa后,关闭高压釜阀门;⑤将高压釜装入管式炉电阻炉,FP23控温仪程序控温,以10℃/min速率升至950-1200℃,恒温10-30小时后,缓慢降至室温即可;⑥降温后,开启高压釜,切开石墨坩埚即可获得高纯、单相、致密的多晶原料。本发明的有益效果是,工艺简单,避免了传统合成法中石英管爆炸问题,大大缩短了合成周期,提高了实验的成功率,一次性可以获得较多量的多晶原料。
搜索关键词: 化合物 高压 合成 方法
【主权项】:
1.一种硫族化合物的高压釜合成方法,其特征在于:其工艺方法如下:①将原料及石墨坩埚放入烘箱进行烘干除水;②在手套箱内,准确称量各组分原料,装入事先准备好的石墨坩埚内,密封;③将装好料的石墨坩埚放入高温高压釜内,密封;④用扩散泵抽真空至2×10-3Pa后,关闭高压釜阀门;⑤将高压釜装入管式电阻炉,FP23控温仪程序控温,以10℃/min速率升至950-1200℃,恒温10-30小时后,缓慢降至室温即可;⑥降温后,开启高压釜,切开石墨坩埚即可获得高纯、单相、致密的多晶原料。
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