[发明专利]杂环化合物修饰二氧化钛薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610066449.3 | 申请日： | 2006-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101045555A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 贾建光;黄康胜 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;H01L51/48;B01J21/06 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何清清 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种杂环化合物修饰二氧化钛薄膜的方法。将二氧化钛薄膜在真空加热的条件下进行预处理，然后在持续抽真空条件下，将低沸点含氮或硫元素的有机环状小分子杂环化合物与二氧化钛薄膜表面高度活化的悬垂键进行修饰反应，用无水乙醇冲洗表面，真空干燥后制得杂环化合物修饰的二氧化钛薄膜。该方法简单易行，所得薄膜材料具有光化学稳定性好，修饰剂用量较少，易于大批量生产，与修饰前相比，修饰后的二氧化钛薄膜拓宽了其利用太阳光范围，同时修饰后的二氧化钛薄膜电极的平带电位产生了明显变化，从而使其在薄膜光化学太阳能电池、光催化、光解水及复合半导体材料等方面具有广泛的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 杂环化合物 修饰 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种杂环有机化合物修饰二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，先将二氧化钛薄膜在持续抽真空的装置中进行预处理，在真空条件下进行预处理，预处理温度为300-450℃，时间4-12小时，然后在持续抽真空条件下，装置自然冷却到60-100℃，停止抽真空，将低沸点含氮或硫元素的有机环状小分子杂环化合物通过蒸发进入预处理装置中，与经过预处理的二氧化钛薄膜修饰反应，20-120分钟后取出修饰后产品，用无水乙醇冲洗表面，真空干燥后制得杂环化合物修饰的二氧化钛薄膜。
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