[发明专利]高压串联晶闸管阀单注入合成试验方法有效

专利信息
申请号: 200610064924.3 申请日: 2006-03-17
公开(公告)号: CN1818697A 公开(公告)日: 2006-08-16
发明(设计)人: 汤广福;朱家骝;赵贺 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/12;G01R31/00
代理公司: 信息产业部电子专利中心 代理人: 郭禾
地址: 100085北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种高压串联晶闸管阀单注入合成试验方法。试验装置主要包括高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路,低压交直流大电流源及其调节回路,高低压回路隔离装置和试品阀几大部分。高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路用于为试品阀提供必要的正反高电压及其变化率、高电流变化率。低压交直流大电流源及其调节回路用于为试品阀提供必要的交直流电流。本方法对于双向晶闸管阀,分为大电流和高电压两个阶段。而对于单方向晶闸管阀,在每个工频周期内,由低压直流大电流源提供直流大电流,在换流阀换相结束瞬时,由高电压回路注入一个高电流变化率的电流脉冲,并调节高电压回路电压波形,使得试品阀承受适当的正反向高电压。
搜索关键词: 高压 串联 晶闸管 注入 合成 试验 方法
【主权项】:
1、一种高压串联晶闸管阀单注入合成试验装置,其特征在于:高压串联晶闸管阀单注入试验装置主要包括高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路,低压交直流大电流源及其调节回路,高压回路隔离装置与低压回路隔离装置和试品阀几大部分;试品阀两端分别通过高压回路隔离装置和低压回路隔离装置,与高电压与高电流变化率脉冲源及其调节回路和低压交直流大电流源及其调节回路连接。
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