[发明专利]场发射像素管有效
申请号: | 200610061804.8 | 申请日: | 2006-07-26 |
公开(公告)号: | CN101114563A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 杨远超;唐洁;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J31/15;H01J63/00;H01J29/02;H01J29/86;H01J29/94;H01J29/04;H01J1/304 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种场发射像素管。该场发射像素管包括:一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部,该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密封的,该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层,该浆料层含有导电的纳米材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。该场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用,可以有效的减弱碳纳米管表面的电场,使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。 | ||
搜索关键词: | 发射 像素 | ||
【主权项】:
1.一种场发射像素管,其包括:一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部,该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密封的,其特征在于:该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层,该浆料层含有导电的纳米材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。
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