[发明专利]微型场发射电子器件在审
申请号: | 200610061417.4 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN101097823A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 陈丕瑾;胡昭复;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01J1/304 | 分类号: | H01J1/304;H01J1/46;H01J7/04;H01J7/14 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明涉及一种微型场发射电子器件,其包括:一基底;一阴极电极设置于基底表面,该阴极电极具有一电子发射体;和一阳极电极相对该阴极电极设置,该微型场发射电子器件内密封有惰性气体,且满足条件式: |
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搜索关键词: | 微型 发射 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种微型场发射电子器件,其包括:一基底;一阴极电极设置于基底表面,该阴极电极具有一电子发射体;和一阳极电极相对该阴极电极设置,其特征在于,该微型场发射电子器件内密封有惰性气体,且满足条件式: 其中,h为电子发射体的场发射尖端与阳极电极之间的间距;为电子在惰性气体环境中的自由程。
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