[发明专利]减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法无效

专利信息
申请号: 200610039204.1 申请日: 2006-03-30
公开(公告)号: CN1866450A 公开(公告)日: 2006-11-22
发明(设计)人: 崔云康;张晓兵;雷威;狄云松;王金蝉;储开荣 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01J9/24 分类号: H01J9/24;H01J9/26;H01J9/32;H01J9/00
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 21009*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法涉及采用丝网印刷阴极的碳纳米管场发射显示器件封接过程中,减少碳纳米管的丢失并降低其对碳纳米管场发射显示器件发射均匀性的影响的生产工艺技术。在碳纳米管场发射显示器件封接过程中,用丝网印刷方法于相邻两阴极之间制作绝缘介质,将真空封接腔体均匀的分割成几个较小的腔体,腔体之间通过绝缘介质条两头和中间各留出间隙相通,作为各个腔体的排气通道,形成一种新型的碳纳米管场发射显示器件的封接结构,并对其进行封接,从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度,减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用,因而在阴极上保留大部分的碳纳米管。
搜索关键词: 减少 纳米 发射 显示 器件 封接中碳 丢失 方法
【主权项】:
1.一种减少碳纳米管场发射显示器件在封接中碳纳米管丢失的方法,其特征在于在碳纳米管场发射显示器件封接过程中,用绝缘介质条(4)将封接结构的真空腔体分割成几个较小的真空小腔体(5),对其进行封接,从而降低封接腔体中气体在封接升温过程的对流程度,减少对流气体对碳纳米管的吹拂作用,在阴极上保留大部分的碳纳米管;各真空小腔体(5)之间通过绝缘介质条(4)两头和中间各留出0.5-3.0厘米间隙相通,作为各个真空小腔体(5)的排气通道。
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