[发明专利]一种可集成的全固态锂离子薄膜微电池正极的制备方法无效

专利信息
申请号: 200610035740.4 申请日: 2006-05-31
公开(公告)号: CN1885595A 公开(公告)日: 2006-12-27
发明(设计)人: 张耀;钟志源;朱敏;欧阳柳章;曾美琴 申请(专利权)人: 华南理工大学;钟志源
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;C23C14/35;C23C16/48;H01L21/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 李卫东;罗观祥
地址: 51064*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种可集成的全固态锂离子薄膜微电池正极的制备方法。方法如下:在氧化铝、氮化铝、石英或者表面氧化的硅片的衬底上采用磁控溅射法沉积一层Pt、Au或Al用作集流电极,在集流电极与衬底之间沉积一层Ti、Co或Cr用作过渡层;以层状结构LiCo1-xMxO2和尖晶石结构LiMn2-xMxO4中所包含金属的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、硝酸盐或醋酸盐为原料制备粉末前驱体,将粉末前驱体研磨、圆饼压制、分区段煅烧、炉冷得到脉冲激光沉积用靶材,然后采用脉冲激光沉积法在金属化的衬底上均匀沉积一层正极薄膜。该发明得到的薄膜正极结合力好,电极性能好,易于集成并且制备成本较低。
搜索关键词: 一种 集成 固态 锂离子 薄膜 电池 正极 制备 方法
【主权项】:
1、一种可集成的全固态锂离子薄膜微电池正极的制备方法,其特征在于包括如下工艺步骤和工艺条件:(1)衬底的准备和金属化:在氧化铝、氮化铝、石英或者表面氧化的硅片为材料的衬底上,采用磁控溅射法沉积一层Ti、Co或Cr作为过渡层,厚度为25~75nm,在过渡层上沉积一层Pt、Au或Al用作集流电极,厚度为100~300nm;(2)靶材的制备:采用固相反应法、共沉淀法或者溶胶—凝胶法制备Li1+yCo1-xMxO2和LiyMn2-xMxO4粉末前驱体,其中M为Ni、Mn、Al、Co、Cr中的一种,0≤x≤1,y为0.05~0.3,然后采用球磨或手工研磨所得到的前驱体粉末,加入1~2wt%的聚乙烯醇,在100~120℃烘干6~12小时后,采用100~200MPa冷压或加热压制成圆饼,分两个区段煅烧压制后的圆饼,第一区段温度为250~450℃,时间为1~3小时,第二区段温度为850~1200℃,时间为1~6小时,然后炉冷至室温;(3)脉冲激光沉积:用248nmKrF或者193nmArF准分子激光,调整准分子激光脉冲频率为5~15Hz,脉冲宽度为10~25ns,使准分子激光聚焦在靶材上的脉冲激光能量密度为1~15J cm-2,在高纯氧气气氛的不锈钢真空室中通过靶材和衬底的转动,在衬底上均匀沉积一层厚度为100~1200nm的正极薄膜,沉积后的薄膜采用真空室原位退火或者沉积后退火,退火后即得到所要制备的全固态锂离子薄膜微电池正极。
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