[发明专利]改善背面研削时产生硅屑沾污的方法有效
| 申请号： | 200610030397.4 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101131544A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 仓凌盛;施灵峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善背面研削时产生硅屑沾污的方法，它可以在不增加成本和工艺步骤的情况下，实现对研削沾污起到明显改善作用。它包括：改善在研削前的聚酰亚胺光刻工序，即在聚酰亚胺光刻时，通过精确对准曝光对容易发生硅屑沾污的对准缺口周围区域不进行曝光，以保留该区域的聚酰亚胺。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 背面 研削时 产生 沾污 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善背面研削时产生硅屑沾污的方法，其特征在于，改善在研削前的聚酰亚胺光刻工序，即在聚酰亚胺光刻时，通过精确对准暴光对容易发生硅屑沾污的对准缺口周围区域不进行曝光，以保留该区域的聚酰亚胺。
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