[发明专利]谐振增强型射频低噪声放大器无效
| 申请号： | 200610029644.9 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1905378A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 景一欧;李勇;赖宗声 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H04B1/16 | 分类号： | H04B1/16;H03F1/26;H03F3/189;H04B5/02 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种谐振增强型射频低噪声放大器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域。背景技术的共源－共栅放大器电路虽可使正向放大倍数和噪声系数得到兼顾，但需在共源晶体管的栅极电路串接大电感，共栅晶体管的漏极输出大幅度电压，放大器的线性度较差。本发明的放大器采用单管共源放大电路，其输入电路串接电容电感并联电路，其输出电路中接有电容电感串联电路，共源晶体管的漏极输出小幅度电压，不仅噪声低和正向放大倍数大，而且线性度好，弥补了背景技术的共源－共栅放大器的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 增强 射频 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1、一种谐振增强型射频低噪声放大器，含MOS管(M1)、Vdd 端、Vbias1端、Vin端、Vout端和地线，MOS管(M1)是NMOS管，Vin 端、Vout端、Vdd端、地线和Vbias1端分别是该放大器的射频信号输入端、射频信号输出端、+电压输入端、-电压输入端和偏置电压输入端，其特征在于，MOS管(M1)连接成单管共源电路，该放大器还含有第一电感(Lp)，第二电感(Lsource)，第三电感(LRFC)，第四电感(Ls)，第一电容(Cp)，第二电容(Cext)，第三电容(Cs)和电阻(Rchoke)，第一电感(Lp)与第一电容(Cp)并联后跨接在Vin端和MOS管(M1)的栅极之间，第二电容(Cext)跨接在MOS管(M1)的栅极和源极之间，电阻(Rchoke)跨接在MOS管(M1)的栅极与(Vbias1)端之间，第二电感(Lsource)跨接在MOS管(M1)的源极和地线之间，第三电感(LRFC)跨接在MOS管(M1)的漏极和Vdd 端之间，第四电感(Ls)跨接在MOS管(M1)的漏极和Vout端之间，第三电容(Cs)跨接在Vout端和地线之间。
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