[发明专利]多晶硅刻蚀腔体无效
| 申请号： | 200610029615.2 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101117715A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 吉黎;吴志丹;李虹;虞颖 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅刻蚀腔体，在多晶硅刻蚀腔体内的静电吸附盘周围环绕设有一底部和静电吸附盘处于同样高度、设置在静电吸附盘底座上的聚焦环，聚焦环高出静电吸附盘的部分高度为10mm～40mm，外径等于静电吸附盘底座的外径，内径在201mm至211mm之间，聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度等于静电吸附盘的高度，内径等于静电吸附盘的直径，外径等于静电吸附盘底座的外径，本发明通过将腔内的定位环更换为具有比硅片表面更高的高度的聚焦环，将等离子体聚集在硅片表面，使得硅片表面的等离子的均一性改善，改善了刻蚀均一性。本发明使硅片面内的器件具有同样的性能，并且提高器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅刻蚀腔体，其特征在于，在多晶硅刻蚀腔体内的静电吸附盘周围环绕设有一底部和静电吸附盘处于同样高度、设置在静电吸附盘底座上的聚焦环，聚焦环高出静电吸附盘的部分高度在10mm至40mm之间，外径等于静电吸附盘底座的外径，内径在201mm至211mm之间，聚焦环围绕静电吸附盘周围部分高度等于静电吸附盘的高度，内径等于静电吸附盘的直径，外径等于静电吸附盘底座的外径。
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