[发明专利]用图像同步采集光刻成像系统的像场弯曲测量方法无效
| 申请号： | 200610029613.3 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN101118385A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;伍强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用图像同步采集光刻成像系统的像场弯曲测量方法，首先使图像同步采集光刻成像系统进行步进运动，每步进一次，都用成像探测器对掩膜板在被光刻的器件上成像的图形进行扫描，采集到在被光刻器件上的成像区域上，各点成像随垂直方向空间位置变化而变化的数据，之后根据这些数据，计算出曝光区域上各点的最佳焦距，将这些最佳焦距数据进行归纳，得到像场弯曲数据。本发明通过上述方法，可以在光刻工艺过程中同步进行像场弯曲的测量，大大的提高了工作效率，节约了成本，而且可以对像场弯曲进行实时监控。 | ||
| 搜索关键词： | 图像 同步 采集 光刻 成像 系统 弯曲 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种用图像同步采集光刻成像系统的像场弯曲测量方法，其特征在于，首先使图像同步采集光刻成像系统进行步进运动，每步进一次，都用成像探测器对掩膜板在被光刻的器件上成像的图形进行扫描，采集到在被光刻器件上的成像区域上，各点成像随垂直方向空间位置变化而变化的数据，之后根据这些数据，计算出曝光区域上各点的最佳焦距，将这些最佳焦距数据进行归纳，得到像场弯曲数据。
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