[发明专利]太阳能硅晶片双束激光双线划槽方法与装置无效

专利信息
申请号: 200610028630.5 申请日: 2006-07-05
公开(公告)号: CN101100019A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 王涛;姚建铨;古桂茹;刘保利 申请(专利权)人: 无锡浩波光电子有限公司
主分类号: B23K26/06 分类号: B23K26/06;B23K26/04;B23K26/36;H01L21/302
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214028江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 它利用Z型谐振腔的Nd:YAG激光器发射双束输出波长1064nm直径Φ6的双束激光,经直角棱镜合并成平行双束激光,其间距1~4mm可调,经声光Q开关调制,经反射镜反射到聚焦镜,由聚焦镜实现双束激光聚焦,聚焦光斑为Φ9~19μm,划槽最小线宽:10μm,最大划片速度:100mm/s,功率为20~40W,调制频率范围5~35KHz,实现双束激光双线划槽加工。主要应用于硅、锗、砷化镓等材料的划槽与切割,特别适用于单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的切割。
搜索关键词: 太阳能 晶片 激光 双线 方法 装置
【主权项】:
利用Z型谐振腔的Nd:YAG激光器发射双束输出波长1064nm直径Φ6的双束激光,经直角棱镜合并成平行双束激光,其间距1~4mm可调,经声光Q开关调制,经反射镜反射到聚焦镜,由聚焦镜实现双束激光聚焦,聚焦光斑为Φ9~19μm,划槽最小线宽:10μm,实现双束激光双线划刻太阳能硅晶片。
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