[发明专利]光刻机成像光学系统像差现场测量方法

摘要

本发明公开了一种光刻机成像光学系统像差现场测量方法，包括如下步骤：标定所述成像光学系统的灵敏度矩阵；将所述光源发出的光束经过所述照明系统调整后，照射于所述掩模；所述掩模选择性地透过一部分光线；这样透过的光线经过所述成像光学系统将掩模上的图案成像；通过改变所述成像光学系统出瞳面处的光强分布，测量得到多组所述空间像线宽，而后使用所述灵敏度矩阵计算各种高级像质参数。采用本发明测量方法可简化测试流程，提高像质参数测量精度，缩短测量时间。

主权项

1.一种光刻机成像光学系统像差现场测量方法，所述方法所使用的系统包括：产生投影光束的光源；用于调整所述光源发出的光束的光强分布和部分相干因子的照明系统；能将掩模图案成像且其数值孔径可以调节的成像光学系统；能承载所述掩模并精确定位的掩模台；能承载硅片并精确定位的工件台；其特征在于，所述方法包括以下步骤：标定所述成像光学系统的灵敏度矩阵；将所述光源发出的光束经过所述照明系统调整后，照射于所述掩模；所述掩模选择性地透过一部分光线；这样透过的光线经过所述成像光学系统将掩模上的所述图案成像；通过改变所述成像光学系统出瞳面处的光强分布，利用特定工具测量得到多组所述线宽，计算得出线宽不对称度与不均匀性，而后使用所述灵敏度矩阵计算物镜波像差。