[发明专利]一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构及制造方法无效

专利信息
申请号: 200610012127.0 申请日: 2006-06-07
公开(公告)号: CN101087057A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 邵烨;刘峰奇;刘俊歧;李路 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343;H01S5/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汤保平
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;一量子级联激光器谐振腔,该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上;一一维光子晶体结构,该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质交替重复多个周期组成,该一维光子晶体结构位于量子级联激光器谐振腔的后腔面,该一维光子晶体结构制作在衬底上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层蒸镀在衬底背面。
搜索关键词: 光子 晶体 调制 量子 级联 激光器 管芯 结构 制造 方法
【主权项】:
1.一种一维光子晶体调制的量子级联激光器管芯结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;一量子级联激光器谐振腔,该量子级联激光器谐振腔制作在衬底上;一一维光子晶体结构,该一维光子晶体结构由深刻蚀形成的空气介质与激光器材料介质交替重复多个周期组成,该一维光子晶体结构位于量子级联激光器谐振腔的后腔面,该一维光子晶体结构制作在衬底上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层蒸镀在衬底背面。
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