[发明专利]超宽带微波单片集成放大器

摘要

超宽带微波单片集成放大器，本发明涉及一种工作频率为2～26.5GHz的超宽带微波单片集成放大器。它克服了现有技术在频率较低时稳定性比较差，其小信号S参数不能满足绝对稳定条件的缺陷。它由若干个共射共基极放大器(1)，输出级微带线(2)和输入级微带线(3)组成，每个(1)的输入端都连接在(3)上，每个(1)的输出端都连接在(2)上，每个(1)都由一号微波三极管(T1)、二号微波三极管(T2)、电感(L)和电容(C)组成，(T1)的栅极连接在(3)上，(T1)的源极接地，(T1)的漏极通过(L)连接(T2)的源极，(T2)的漏极连接在(2)上，(T1)和(T2)都是赝配高电子迁移率晶体管。本发明工作时从(3)输入微波信号，从(2)输出经过功率放大了的微波信号。本发明具有广泛应用前景。

主权项

1、超宽带微波单片集成放大器，其特征在于它由若干个共射共基极放大器(1)，输出级微带线(2)和输入级微带线(3)组成，每个共射共基极放大器(1)的输入端都连接在输入级微带线(3)上，每个共射共基极放大器(1)的输出端都连接在输出级微带线(2)上，每个共射共基极放大器(1)都由一号微波三极管(T1)、二号微波三极管(T2)、电感(L)和电容(C)组成，一号微波三极管(T1)的栅极(V)连接在输入级微带线(3)上，一号微波三极管(T1)的源极(Y)接地，一号微波三极管(T1)的漏极(D)通过电感(L)连接二号微波三极管(T2)的源极(Y)，二号微波三极管(T2)的漏极(D)连接在输出级微带线(2)上，二号微波三极管(T2)的栅极(V)连接电容的一端和电源(+VA)，电容(C)的另一端接地，一号微波三极管(T1)和二号微波三极管(T2)都是赝配高电子迁移率晶体管。