[发明专利]用于等离子体处理装置的侧RF线圈和侧加热器无效
| 申请号： | 200610007344.0 | 申请日： | 2006-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN1819736A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 龙茂林;孙培力 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;H05H1/20;H01F5/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电感耦合的等离子体处理室的RF等离子体产生和温度控制系统。等离子体产生系统包括加热器，所述加热器包括基本平行于细长下加热元件的细长上加热元件，其中上加热元件和下加热元件通过基本垂直于上加热元件和下加热元件的一个或多个柱连接。该系统还包括特征为在与柱重叠的点处的褶皱的一个或多个RF线圈。而且，还公开了一种用于电感耦合的等离子体处理室的RF等离子体产生系统，其中该等离子体产生系统包括热耦合到室的加热器，和耦合到室的一个或多个RF线圈，其中RF线圈包括具有至少一个平坦侧的中空管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 装置 rf 线圈 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种用于电感耦合的等离子体处理室的RF等离子体产生和温度控制系统，所述等离子体产生系统包括：加热器，所述加热器包括基本平行于细长下加热元件的细长上加热元件，其中所述上加热元件和所述下加热元件通过基本垂直于所述上加热元件和所述下加热元件的一个或多个柱连接；和一个或多个RF线圈，定位在所述上加热元件和所述下加热元件之间且特征为在与所述柱重叠的点处的褶皱。
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