[发明专利]晶片的激光加工方法无效
| 申请号： | 200610005105.1 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN1803374A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 小林贤史 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L21/301 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种一种晶片的激光加工方法，将由衬底表面上层叠的膜层形成了多个器件的晶片，沿着划分该器件的多个切割道进行激光加工，激光加工该方法包括：第1激光加工槽形成工序，沿着晶片的切割道设置预定的间隔来照射对晶片来说具有吸收性的第1激光束，形成截断该膜层的两条膜剥离防止槽；以及第2激光加工槽形成工序，在通过该第1激光加工槽形成工序、沿着晶片的切割道形成的两条膜剥离防止槽之间的中央部，沿着晶片的切割道照射对晶片来说具有吸收性的第2激光束，在膜层和衬底中形成预定深度的分割槽。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的激光加工方法，将由衬底表面上层叠的膜层形成了多个器件的晶片，沿着划分该器件的多个切割道进行激光加工，其特征在于，该激光加工方法包括：第1激光加工槽形成工序，沿着晶片的切割道设置预定的间隔来照射对晶片来说具有吸收性的第1激光束，形成截断该膜层的两条膜剥离防止槽；以及第2激光加工槽形成工序，在通过该第1激光加工槽形成工序、沿着晶片的切割道形成的两条膜剥离防止槽之间的中央部，沿着晶片的切割道照射对晶片来说具有吸收性的第2激光束，在该膜层和该衬底中形成规定深度的分割槽。
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