[发明专利]改进低能量大电流带状束注入机中的束中和

摘要

现代半导体集成电路的制造往往要求涉及大电流低能量带电搀杂剂原子的注入步骤。当使用这样的射束时，添加用于中和空间电荷的影响的电子或负离子对于获得成功往往是有决定性意义的。在没有这种补充的情况下，离子束会“爆炸”，导致强度的损失和束聚焦的破坏。在本公开中，提供用于引入低能量电子和负离子并将其约束在磁场偏转区域内的带状束边界内的方法。描述了用于基于减少电子丢失、等离子体桥接和二次电子产生的来保持中和状态的设备。作为向偏转区域的等离子体引入的一部分，新颖的低温抽运设备选择性地从等离子体流中去除中性原子。

主权项

1. 一种用于添加电子以便中和被磁场偏转的离子束中的空间电荷的方法，所述方法包括以下步骤：把等离子体引入所述磁场的区域，所述等离子体来自位于定义所述磁场的边界的磁极的表面的多个等离子体发射区；以及安排所述发射的等离子体在沿着所述离子束的路径的多个位置处链接到所述离子束。