[发明专利]开关器件、用于该开关器件的驱动和制造方法、集成电路器件和存储器件无效
| 申请号： | 200580045151.8 | 申请日： | 2005-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101091264A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 川浦久雄;砂村润 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/10;H01L21/28;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种开关器件，包括：具有离子导体的离子导电部分(4)、离离子导电部分(4)第一间隙形成的第一电极(1)、形成为与离子导电部分(4)接触的第二电极(2)、以及形成为离离子导电部分(4)第二间隙的第三电极(3)。第二电极(2)将金属离子供给离子导体，或接收来自离子导体的金属离子以沉淀对应于金属离子的金属。 | ||
| 搜索关键词： | 开关 器件 用于 驱动 制造 方法 集成电路 存储 | ||
【主权项】：
1.一种开关器件，包括：具有离子导体的离子导电部分，金属离子在离子导体的内部可以自由移动，第一电极，形成为与所述导电部分具有第一间隙，第二电极，用于将所述金属离子供给所述离子导体，或用于接收来自所述离子导体的所述金属离子，以沉淀对应于所述金属离子的金属，并且其形成为与离子导电部分相接触，以及第三电极，形成为与所述离子导电部分具有第二间隙，其中：当相对于所述第二电极的负电压施加到所述第一电极或所述第三电极时，由所述金属组成的沉淀物在从所述离子导电部分朝着所述第一电极的方向上生长，并且响应于所述沉淀物的生长，电特性改变。
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