[发明专利]浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器有效
| 申请号： | 200580043718.8 | 申请日： | 2005-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101095197A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 方玉品;丹尼尔·C·古特曼 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 对于非易失性存储器系统来说，将擦除阈值电压分布压缩为最低阈值电压状态将减小有效数据阈值电压窗口。减小所述有效数据阈值电压窗口会减小浮动栅极之间的耦合效应。可将所述压缩执行为擦除过程的一部分或编程操作的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 浮动 栅极 之间 耦合 效应 减小 nand 擦除 可编程 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种操作非易失性存储器的方法，其包括：通过将一组非易失性存储元件的阈值电压移动到第一范围来擦除所述非易失性存储元件，所述第一范围在零伏以下；压缩所述阈值电压并将所述阈值电压移动到第二范围，所述第二范围在零伏以上；和将所述非易失性存储元件的至少一子集从所述第二范围编程到零伏以上的额外范围中的一者或一者以上。
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