[发明专利]在SOI晶片中包括凹陷的源/漏区的半导体制造工艺

摘要

本发明提供一种在绝缘体上硅(SOI)晶片(101)中形成具有凹陷的源/漏的晶体管的方法，其包括：在晶片的有源层中形成隔离结构(110)，其中该隔离结构优选延伸通过该有源层至晶片的BOX层(104)。移除该有源层的上部以形成晶体管沟道结构。在该沟道结构上(143，145)形成栅介质(120)，并在该栅介质上形成栅结构(140)。执行通过栅介质的暴露部分、沟道结构和BOX层的刻蚀，然后从衬底体块(102)的暴露部分外延生长源/漏结构(160)。该隔离结构和BOX都主要包括氧化硅，并且该隔离结构的厚度防止部分的BOX层被刻蚀。

主权项

1.一种半导体制造工艺，包括：在绝缘体上硅(SOI)晶片的有源层中形成隔离沟槽结构；通过相对于该隔离沟槽选择性地刻蚀该有源层，薄化该有源层以形成沟道结构；在该沟道结构上形成栅介质；在该栅介质上形成栅结构；使用该栅结构作为掩膜，移除该栅介质和下面的沟道结构的暴露部分，以使该SOI晶片的埋氧(BOX)层的部分暴露；刻蚀穿过该BOX层的暴露部分至该SOI晶片衬底体块的暴露部分，其中在所述刻蚀期间，在该BOX的隔离部分上的该隔离沟槽结构的存在防止了该BOX的隔离部分被移除；及从该衬底体块的暴露部分外延生长半导体源/漏结构，其中相邻的半导体源/漏结构由该BOX层的隔离部分彼此隔离。