[发明专利]单模光子晶体VCSEL有效

专利信息
申请号: 200580040641.9 申请日: 2005-11-29
公开(公告)号: CN101091293A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 达恩·比克达尔;斯文·比朔夫;迈克尔·尤尔;芒努斯·哈尔·马森;弗朗西斯·帕斯卡尔·罗姆斯塔德 申请(专利权)人: 阿赖特科技公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 曾贤伟
地址: 丹麦*** 国省代码: 丹麦;DK
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摘要: 本说明书揭示了具有单模输出和可选的单偏振输出的VCSEL(垂直腔表面发射激光器)器件。该器件通过在部分VCSEL顶部镜片中的浅蚀刻由根据PBG(光子带隙)效应的横向模限制给出。PBG区域环绕特征为大的纵向模损耗的MS区域(模整形区域)。MS区域环绕特征为低纵向模损耗的LA区域(光孔径区域)。MS区域不对到LA孔径的横向模限制作出贡献,横向模由PBG区域限制。从而对于单基模工作优化了VCSEL。
搜索关键词: 单模 光子 晶体 vcsel
【主权项】:
1.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL),包括多层结构,该多层结构包括在一层或者多层中定义的不同区域,不同区域之间的关系在沿着垂直于层的方向的投射中确定,该VCSEL包括:半导体材料层,具有用于产生光并用于发射所产生的光的主动区;第一和第二至少基本平行的镜片,形成包括该主动区的激光腔,该激光腔和该主动区支持所产生的光的至少一个纵向电磁模;中心光孔径(LA)区域,提供长的光子寿命并且与该主动区重叠或者至少部分环绕该主动区;模整形(MS)区域,形成在该第一和/或第二镜片内或者邻近该第一和/或第二镜片并环绕该LA区域,该MS区域提供短于该LA区域的光子寿命;模限制(MC)区域,形成在该第一和/或第二镜片内或者邻近该第一和/或第二镜片并环绕该MS区域,且被设计为对该MS区域和该LA区域提供模的横向限制,其中,选择该LA区域,该MS区域和该MC区域的尺寸来设计腔的每个横向电磁模中的激光动作的效率。
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