[发明专利]场致发射电极、其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 200580040587.8 | 申请日： | 2005-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101065820A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 西村一仁;笹冈秀纪 | 申请（专利权）人： | 日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将一种在X射线衍射中具有金刚石的图案并且由微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒形成的电子发射膜形成在基板上。该电子发射膜可以在其使发射电流流动时将场强限制为低水平，并且该电子发射膜具有均匀的电子发射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电极 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1、一种场致发射电极，包括：包含微粒直径为5nm到10nm的多个金刚石细微粒的电子发射膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社，未经日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580040587.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
