[发明专利]用于通过预确定的部分块的组合构造具有不同功率的垂直的功率晶体管的方法无效
| 申请号： | 200580033870.8 | 申请日： | 2005-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN101036146A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 拉尔夫·莱纳;沃尔夫冈·米西 | 申请（专利权）人： | X－FAB半导体制造股份公司;阿尔法微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国埃*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 用于设计一种具有特定的设计功率的垂直MOS功率晶体管的方法和系统。该方法包括将该垂直MOS功率晶体管的布局组合为分别具有已知的设计数据的一些至少部分地不同的布局部分块与至少一个第一布局部分块的组合，所述第一布局部分块具有预先给定数目的单个晶体管单元，并且借助这些已知的设计数据和所使用的布局部分块的数目来设定该特定的设计功率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 确定 部分 组合 构造 具有 不同 功率 垂直 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.用于设计一种具有特定的设计功率的垂直MOS功率晶体管的方法，包括：将该垂直MOS功率晶体管的布局组合为分别具有已知的设计数据的一些至少部分地不同的布局部分块(5，6，7，11，12，13，13a，14，15)与至少一个第一布局部分块(5，6，7，11，12)的组合，所述第一布局部分块具有预先给定数目的单个晶体管单元(2)，并且借助这些已知的设计数据和所使用的布局部分块的数目来设定该特定的设计功率。
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