[发明专利]用于修改干涉式调制器的偏移电压特性的方法无效
| 申请号： | 200580030992.1 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101019062A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 威廉·J·卡明斯;布莱恩·J·加利 | 申请（专利权）人： | IDC公司 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种根据特定的一组处理参数制成的干涉式调制器，其可具有一非零偏移电压。已开发出一种方法来用于修改所述处理参数，以将所述非零偏移电压移至更接近于零。例如，所述方法可涉及：识别一组会形成干涉式调制器的一非零偏移电压的用于制造干涉式调制器的处理参数。然后可修改所述一组处理参数，以将所述非零偏移电压移至更接近于零。例如，修改所述一组处理参数可涉及到：修改用于制作所述干涉式调制器的一个或多个沉积参数，对所述干涉式调制器施加一电流(例如反作用电流)，及/或对干涉式调制器进行退火。根据所述一组经修改的处理参数制成的干涉式调制器可具有改良的性能及/或更简单的驱动方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 修改 干涉 调制器 偏移 电压 特性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作一干涉式调制器的方法，其包括：识别一组用于制造一干涉式调制器的处理参数，所述一组处理参数会形成所述干涉式调制器的非零偏移电压；及修改所述一组处理参数，以将所述非零偏移电压移至更接近于零。
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