[发明专利]等离子体加工中确定正确的平均偏置补偿电压的方法有效
| 申请号： | 200580028541.4 | 申请日： | 2005-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101006630A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | A·M·豪瓦德 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H02H1/00 | 分类号： | H02H1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种通过施加双极ESC电压移去附着到双极静电卡盘(ESC)的衬底的方法，该方法包括在加工当前的衬底后停止提供双极ESC电压，以及确定加工的单极元件误差。本方法也包括为后续衬底校正该单极元件误差。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 加工 确定 正确 平均 偏置 补偿 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种移去通过施加双极ESC电压而附着到双极静电卡盘(ESC)的衬底的方法，包括：在加工当前的衬底后停止提供所述双极ESC电压；确定所述加工的单极元件误差；以及为后续的衬底校正所述单极元件误差。
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