[发明专利]制造磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 200580025592.1 | 申请日： | 2005-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN101002256A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 冈正裕 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;C23C14/34;C23C14/35;G11B5/64;G11B5/73;G11B5/82 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的特征是非磁性基底、在非磁性基底的每个表面上的靶构件和在每个靶构件背向基底一侧的表面上的磁板平行放置在成膜设备中，向靶构件施加一高频电压，在磁板的表面上以相等的间隔交替排列相反的极性，以及把溅射气体导入到成膜设备中以在靶构件附近产生等离子体，从而通过溅射在非磁性基底上形成薄膜。本发明一般增加磁道密度，以及相应地增加磁记录介质的面记录密度，同时保持其记录/再现特性等于或更优于现有技术的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 记录 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造离散磁记录介质的方法，该离散磁记录介质具有在非磁性基底的至少一个表面上的物理离散磁记录磁道和伺服信号图案，其特征是：所述非磁性基底、在该非磁性基底的每个表面上的靶构件、和在每个靶构件背向所述基底一侧的表面上的磁板平行放置在成膜设备中，其中向所述靶构件施加一高频电压，相反的极性在所述磁板的表面上以相等的间隔交替出现，以及把溅射气体导入到所述成膜设备中以在所述靶构件附近产生等离子体，从而通过溅射在所述非磁性基底上形成薄膜。
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